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  • 来源: 原创 安世半导体
  • 日期: 2021-12-14
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基础半导体元器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)今天宣布推出业内首批 A-selection 齐纳二极管。BZT52H-A(SOD123F) 和 BZX384-A(SOD323) 系列的容差仅有 ±1%,相比 B(±2%) 和 C(±5%) 版本,可提供更高精度的基准电压。这两个系列不仅可以满足日渐增长的移动便携式和可穿戴应用、汽车和工业应用的需求及监管要求,也可以支持 Q 产品组合器件。

Nexperia 产品经理 Paula Stümer 介绍:

"Nexperia 的 A-selection 齐纳二极管涵盖从 1.8 V 至 75 V 的各种应用,提供高精度、低容差基准电压,如果向栅极-源极路径或漏极-栅极路径施加极限电压,或从更多种类的合适的 MOSFET 中进行选择,用具有焊盘兼容性的 A-selection 齐纳二极管代替 B- 或 C-selection,工程师可以将 MOSFET 的性能发挥到极致。"

A-selection 齐纳二极管的正常工作电压范围为 1.8 V 至 75 V(E24范围)。这些器件的非重复反向峰值功耗 ≤40W,总功耗 ≤250mW,差分热阻低。低容差可提供更高精度的电压,对应用的测试与测量尤其关键,可帮助工程师取代成本更高的电压基准器件。相比直接保护 MOSFET,另一种替代方案更为经济,即将漏极-栅极路径与齐纳二极管并联。齐纳二极管被击穿后, MOSFET 随即导通,防止漏极-源极发生雪崩击穿。

A-selection 齐纳二极管还可用于 Q 产品组合器件,符合 AEC-Q101 和 ISO/TS16949 汽车质量标准。这些标准的重点是满足汽车原始设备制造商的压力测试资格,以及质量管理体系的要求。与此同时,客户的需求不断发展,越来越多的非汽车应用需要额外的质量相关服务,例如生产零件批准过程(PPAP)和更长的供货计划。此类标准器件和 Q 产品组合器件的另一个不同之处是产品变更通知(PCN)的期限,根据 JEDEC 的要求,期限从 90 天延长至 180 天。此外,所有部件的供货计划至少为 10 年,保质期超过两年。

Nexperia 继续在技术和内部产能方面加大投入。A-selection 齐纳二极管现可提供样品,并已投入大批量生产。

 

 

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